单芯片堆叠出2TB：SAMSUNG 三星 公布 第五代V-NAND闪存技术及相关规划

SAMSUNG（三星）今日在旧金山闪存峰会上公布了未来存储产品的一些规划。其中最亮眼的是第五代V-NAND闪存芯片，单晶128GB堆叠后单芯片可达2TB容量，这对于SSD扩容有积极意义。另外还公布了一种在M.2（NGFF）之后的新规格固态硬盘NGSFF，以及企业级产品Z-SSD。

之前我们曾经报道过三星第四代V-NAND闪存的消息，而全新一代V-NAND闪存单晶1Tb，单个芯片可达16Tb，换算成SSD容量就是2TB的单芯片容量。闪存颗粒的大幅增容对于SSD瘦身和总体容量提升是一个巨大利好，不过根据此前发布的东芝3D闪存推断，三星第五代V-NAND单芯片2TB技术疑似也属于QLC。

此外，三星还公布了一种很近似于目前M.2硬盘的新SSD规格：NGSFF（Next Generation Small Form Factor）。NGSFF目前主要面对于服务器，对比M.2硬盘的NGFF规范这种号称“Small”的新规范反而更大了，尺寸身材30.5mm x 110mm x 4.38mm。新品能有效提高IOPS，首批成品将于今年三季度出货。同时面对专业领域的Z-SSD也会更新，新一代Z-NAND延迟更低适合高性能服务器，拥有很低的延迟适合大数据处理中心。